陶瓷电容器Q值与频率的关系

    第一类陶瓷介质电容器（如C0G）的电容量在整个可以使用的频率范围内基本上不随频率变化。

    Q值和谐振频率是高频/超高频电容器用于谐振槽路时的重要指标，性能优异的高频/超高频电容器在这方面具有很好的表现，如“瓷谷”的C0G介质的10pF一下电容量的超高频陶瓷电容器，其Q值在400MHz以下可以达到1000以上，实际上这个Q值是随频率升高而下降的，可以用损耗因数随频率而增加来解释。而当频率高到一定程度时，Q值将急剧下降（6.8pF的大约到1.5G以上后Q值开始急剧下降，这也和ESR随频率的上升而增加相一致。

    在这里“超高频”主要指可以工作在超高频，当然也可以工作在超高频以下的各个频率。随着电容量的增加特性左移。实际上，更大电容量在超高频下讨论将没有意义，如1000pF的容抗在1GHz下仅0.318Ω，而25px引线的电感为10nH，与1000pF电容谐振的频率约为50MHz，为1GHz的1/20，也就是说，1000pF的电容器用于谐振槽路，其谐振频率一般不会超过50MHz，在1GHz的频率下的用途大概只能是滤波或旁路，这时Q值也就没有意义了。