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半导体瓷和高压电容器陶瓷球的区别

文章出处:东莞市瓷谷电子科技有限公司 所属分类: 知识分享

    半导体瓷

      1.还原氧化型它是将高介电 常数基体(BaTiO)、(Sr, Ba) (Ti, Sn) O3等在还原气氛中还原成半导体,然后在空气中烧银,陶瓷表面被氧化形成薄的绝缘层,薄绝缘层作为介质也可获得大的比体积电容,但由于用这种介质所作的电容器的频率特性不好,可靠性差,限制了它在高频方面的应用。

      2.晶界层半导体瓷它是将高介电常数基体 (Ba, Sr) TiO3进行施主掺杂改性并在还原或中性气氛中还原,然后在还原的基体上涂覆金属氧化物并在空气中进行热处理,绝缘氧化物沿晶界扩散,使半导体晶粒表面氧化形成绝缘层。整个陶瓷体的介电常数达800左右,有的高达14000左右,大大提高了比体积电容。用晶界层半导体瓷为介质所制得的电容器称为晶界层电容器。它不仅具有高比体积电容,而且频率特性优异,可用于信讯机上作为数千兆赫的宽频带耦合电容,此外它的电容温度系数小,绝缘电阻高,是性能最好的半导体电容器。此后又发现了性能更稳定、电容温度系数小的SrTiO3系半导体陶瓷电容器。

    高压电容器陶瓷球

      BaTiO3 陶瓷材料虽具有高介, 但在高压下使用, 介电常数随电压的变化较大。SrTiO3陶瓷的介电常数虽比BaTiO3陶瓷的低,但其绝缘性能却好得多,而且其介电常数随电压变化为一10%心子20% (kV/mm)。  断由已

      这类高压陶瓷电容器已广泛应用于电视机、 雷达高压电路及避雷器、断路器等方面,最近还成功地使用于脉冲气体激光装置的电源中,可使设备小型化、高性能化。

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