CT81-2KV-Y5V-102M高压瓷片电容

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CT81-2KV-Y5V-102M高压瓷片电容详细参数

所属分类：高压瓷片电容器
产品型号：CT81-2KV-Y5V-102M
温度特性：Y5V
电容量：1000pF
标准偏差：M±20%
本体直径：6.5mm
本体厚度：3.5mm
本体高度：9mm
引线间距：5mm
引线长度：3~25mm
引线直径：0.55mm
包封长度：2.5mm
额定电压：2KVDC
耐压：3500V
更新时间：

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  • CT81-2KV-Y5V-102M高压瓷片电容相关信息

CBB电容的组成原理其实比较简单，就是两块平行带点板，中间绝缘介质组成芯子，两块板各有一个引出，即两电极。

CBB金属化膜的金属镀层是通过真空蒸发的方法将金属沉积附着在薄膜上，厚度只有几十个纳米，当介质上存在疵点、杂质时，局部电击穿就可能发生，电击穿处的电弧放电所产生的能量使电击穿点邻近处的金属镀层蒸发，击穿点与周围极板隔开，电容器电气性能就可恢复正常。

CBB电容结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温 度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。

用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、CBB61 等；金属化式聚丙烯电容：CBB20、CBB21、CBB401 等系列。

关键词：CT81电容器102M2KVDC1000pFY5V20%,高压瓷片电容102M,CT81电容

高压瓷片电容器

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