CT81-1KV-Y5P-181K高压瓷片电容

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CT81-1KV-Y5P-181K高压瓷片电容详细参数

所属分类:高压瓷片电容器
产品型号:CT81-1KV-Y5P-181K
温度特性:Y5P
电容量:180pF
标准偏差:K±10%
本体直径:6mm
本体厚度:2.8mm
本体高度:8.5mm
引线间距:5mm
引线长度:3~25mm
引线直径:0.5mm
包封长度:2.5mm
额定电压:1KVDC
耐压:2000V
更新时间:
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三:安规电容作去藕用

去藕,又称解藕。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上 升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对 于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防 途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10uF或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动 电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

四:安规电容作储能用

储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450、电容值在220~150 000uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的 B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式, 对于功率级超过10KW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

应用于信号电路,主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用

五:安规电容作耦合用

晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。

六:安规电容作振荡/同步用

包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

关键词:CT81电容器181K1KVDC180pFY5P10%,高压瓷片电容181K,CT81电容

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