CT81-5KV-Y5V-182M高压瓷片电容

高压陶瓷电容是指应用于高电压系统的瓷介质电容器。

高压陶瓷电容的介质介绍

COG/NPO：属1类陶介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、时间、电压的改变而改变，适用于稳定性、可靠性要求比较严格的场合，由于电气性能稳定，高频特性好，可很好的工作在高频、特高频、甚高频频段。

X7R：属2类陶介质，电气性能较稳定，随温度、时间、电压的变化，其特性变化并不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、滤波电路及10MHZ的中频场合。

Y5V：属3类陶介质，具有很高的介电系数，常用于生产小体积、大容量的电容，其容量随温度改变比较明显，抗恶劣环境能力差，仍用于要求不高的滤波、旁路等电路场合。

高压陶瓷电容的原理

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高压陶瓷电容的介质特性参数

项 目COG/NPOX7RY5V

温度特性0+[_]30PPM/℃+[_]15[%]+30[%]--82[%]

环境温度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃

精度范围C、D、F、G、J、KK、MZ

绝缘电阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ

损耗高校正切≥30：≤1/100000 ≤30：Q=400+20*C50V≤2.5[%]；25≤3[%] 16V≤3.5[%]；10V≤5[%]50V≤3.5[%]；25≤5[%] 16V≤7[%]；10V≤10[%]

抗电强度2.5倍W2.5倍W2.5倍W

测试条件25℃、1MHZ、1V25℃、1KHZ、1V25℃、1KHZ、03V

高压陶瓷电容的功能特点

高压陶瓷电容容体比很小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。它适用于电容量小、工作频率高（频率可达500MHz）的场合，用于高频滤波、旁路、去耦。但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱，因此不能将它随便跨接在低阻电源线上，除非是特殊设计的。

CC1型(高频低压):材料CH(NPO)、PH(N150)、RH(N220)、SH(N330)、TH(N470)、UJ(N750)、SL(SL);容量在0.5~~~~820;

CT1型(低频低压):2B4(Y5P)、2E4(Y5U)、2E5(Z5U)、2F4(Y5V)、2F5(Z5V);容量在220~~22000;

CT81型(低频高压):2B4、2E4、2F4、2R4(Y5R);容量在100~~47000;

CC81型(高频高压):SL、YL(N3300);容量在10P~~560P;

CS1型(半导体类):材料:3B4、3E4、3F4,容量在10000~~220000.