CL21-630V-473J薄膜电容

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CL21-630V-473J薄膜电容详细参数

所属分类:金属薄膜电容器
产品型号:CL21-630V-473J
温度特性:聚乙酯
电容量:0.047μF
标准偏差:J±5%
本体直径:18mm
本体厚度:12.5mm
本体高度:7.5mm
引线间距:15mm
引线长度:3~20mm
引线直径:0.8mm
包封长度:无mm
额定电压:630VDC
耐压:1165.5V
更新时间:
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其实高频开关电源的电磁兼容EMC问题有其特殊性。功率半导体开关管在开关过程中产生的di/dt和dv/dt,引起强大的传导电磁干扰和谐波干扰。有些情况还会引起强电磁场(通常是近场)辐射。不但严重污染周围电磁环境,对附近的电气设备造成电磁干扰,还可能危及附近操作人员的安全。同时,电力电子电路(如开关变换器)内部的控制电路也必须能承受开关动作产生的EMI及应用现场电磁噪声的干扰。上述特殊性,再加上EMI测量上的具体困难,在电力电子的电磁兼容领域里,开关变换器中的电磁噪音源,主要来自主开关器件的开关作用所产生的电压、电流变化。变化速度越快,电磁噪音越大。

那么怎么抑制电磁干扰。一方面,散热片与开关管集电极间的绝缘片接触面积较大,且绝缘片较薄,因此两者间的分布电容在高频时不能忽略。高频电流会通过分布电容流到散热片上,再流到机壳地,产生共模干扰;另一方面,脉冲变压器的初次级之间存在着分布电容,可将原边电压直接耦合到副边上,在副边作直流输出的两条电源线上产生共模干扰。

关键词:CL21电容器473J630VDC0.047μF聚乙酯5%,薄膜电容473J,CL21电容

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