CL21-400V-105J薄膜电容

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CL21-400V-105J薄膜电容详细参数

所属分类：金属薄膜电容器
产品型号：CL21-400V-105J
温度特性：聚乙酯
电容量：1μF
标准偏差：J±5%
本体直径：32mm
本体厚度：20mm
本体高度：11mm
引线间距：27.5mm
引线长度：3~20mm
引线直径：0.8mm
包封长度：无mm
额定电压：400VDC
耐压：740V
更新时间：

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  • CL21-400V-105J薄膜电容相关信息

温度补偿型陶瓷电容：温度补偿电容器，又称高频陶瓷电容器，该类电容器具有损耗低、电容量稳定性高、有多种温度系数等到特点，适用于谐振回路和需要补偿过度效应的电路，以及要求低损耗或电容量要求高稳定的地方。

而高介电常数型：高介电常数型电容器又称低频陶瓷电容器。它们特性种类很多,如.有Y5V,Y5P.Y5U,X7R,....,等,其中Y5V和Y5U,,它们会受温度影响.温度越高,C值越低,温度越低C值越高且容量大,Y5P与X7R容量较为稳定,不会太受温度影响.这也是高频各瓷片的不同之处,高压瓷片电容器，主要的特点就是耐压高,容量高.具有低损耗、电容量大等特点。其陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征，适用于作旁路，耦合使用或用于在低频损耗和电容量高、稳定性都非重要的鉴频电路中。

关键词：CL21电容器105J400VDC1μF聚乙酯5%,薄膜电容105J,CL21电容

金属薄膜电容器

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