Y1电容器Y5P-100K-400VAC

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Y1电容器Y5P-100K-400VAC详细参数

所属分类:安规Y电容器
产品型号:Y5P-100K-400VAC
温度特性:Y5P
电容量:10pF
标准偏差:K±10%
本体直径:6.5mm
本体厚度:4mm
本体高度:9.5mm
引线间距:10mm
引线长度:3~25mm
引线直径:0.55mm
包封长度:2.5mm
额定电压:400VAC
耐压:4000V
更新时间:
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无机介质电容器多半采用银电极,半密封陶瓷电容器在高温条件下工作时,渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应,银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银;在阴极产生还原反应,氢氧化银与氢离子反应生成银和水。

由于电极反应,阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒,靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面,还能扩散到无机介质内部,引起漏电流增大,严重时可使用两个银电极之间完全短路,导致陶瓷电容器击穿。离子迁移可严重破坏正电极表面银层,引线焊点与电极表面银层之间,间隔着具有半导体性质的氧化银,使无介质电容器的等效串联电阻增大,陶瓷电容器的损耗角正切值显著上升。

由于正电极面积减小,陶瓷电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时,两电极间搭起树枝状的银桥,使陶瓷电容器的绝缘电阻大幅度下降。综上所述,银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化,而且可能引起介质击穿场强下降,导致陶瓷电容器击穿。

值得一提的是:银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象,比其它类型的陶瓷介质电容器严重得多,原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。银电极与陶瓷介质一次烧结过程中,银参与了陶瓷介质表面的固相反应,渗入了瓷-银接触形成界面层。

关键词:Y1电容器100K400VAC10pFY5P10%,Y电容100K,Y1电容

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