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薄膜电容具有无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，介质损失很小等优点，基于以上的优点，薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。那么薄膜电容介质的耐压损伤是怎样的呢？
由于电容介质中局部弱点处的损耗D值很大，在不均匀的高场强下就会产生很大局部热量而损伤介质。而施加直流电压时，热量仅由漏电流产生，尤其对于新生产的电容器来说，一般其绝缘电阻很高，漏泄电流很小，造成局部过热损伤的可能性非常小。
另外如果施加的交流电压达到起始局部放电电压值，局部放电会每半个周期就要重复和恶化而造成局部损伤。而在直流电压下即使有起始局部放电，要等电荷消散后重新积聚才能产生局部放电。综上可以得出，流耐压对电容介质可能造成严重损伤，而直流耐压对于薄膜电容器基本可以说是无损伤检测，或者至少是损伤很少的检测方法。
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