由于电容介质中局部弱点处的损耗D值很大,在不均匀的高场强下就会产生很大局部热量而损伤介质。而施加直流电压时,热量仅由漏电流产生,尤其对于新生产的电容器来说,一般其绝缘电阻很高,漏泄电流很小,造成局部过热损伤的可能性非常小。
另外如果施加的交流电压达到起始局部放电电压值,局部放电会每半个周期就要重复和恶化而造成局部损伤。而在直流电压下即使有起始局部放电,要等电荷消散后重新积聚才能产生局部放电。综上可以得出,流耐压对电容介质可能造成严重损伤,而直流耐压对于薄膜电容器基本可以说是无损伤检测,或者至少是损伤很少的检测方法。
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