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电容器中的等效串联电阻，等效串联电感，泄漏电阻这三个指标是很分离但又很难区分。所以许多电子电容公司，厂家都将它们统一成称为损耗因数，简称DF。是用来区分电容器的无效程度。损耗因数是电容周期的损耗能量和储存能量之和。损耗因数等于介质的功率因数或相角的余弦值。电容器在高频损耗可化简为串联电阻模型，所以等效串联电阻和总容抗之比对损耗因数就比较好估算，即DF≈ωR ESRC。
损耗因数可以理解为Q值的倒数或电容器的品质因数，电容厂家的产品中，也会给出这些指示，介质吸收，RDA，CDA：陶瓷电容器就很适合用在高频去耦，如果考虑到它的吸收问题，陶瓷电容器就不适于采用保持放大中的电容器。介质吸收是一种有滞后性质的内部电荷分布，使它快速放电后开路的电容器回复部分电荷，因为恢复电荷的数量是原来电荷的函数，实际上这是一种电荷记忆效应。如果把这种电容器用作采样保持放大器中的保持电容器，那么势必对测量结果产生误差。对于这种类型应用推荐的电容器，这类电容器介质吸收率很低，是X2安规电容，即聚丙烯薄膜电容器、聚乙酯薄膜电容器。
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